X
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В | 50 |
| Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А | 3 |
| Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм | 130 |
| Емкость, пФ | 290 |
| Заряд затвора, нКл | 30 |
| Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В | 3 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Напряжение затвор-исток (Vgs), В | ± 20 |
| Вес брутто | 0.22 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 62*40*43/4000 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Описание | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC |