X
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | P |
| Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В | -100 |
| Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А | -13 |
| Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм | 205 |
| Емкость, пФ | 760 |
| Заряд затвора, нКл | 58 |
| Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В | 4 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Напряжение затвор-исток (Vgs), В | ± 20 |
| Вес брутто | 0.65 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/2000 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Описание | MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC |