X
Корзина0
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | P |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -100 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -13 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 205 |
| Емкость, пФ | 760 |
| Заряд затвора, нКл | 58 |
| Описание | MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th) - 4В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 66 Вт |
| Вес брутто | 0.62 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/2000 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |