X
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N+P |
| Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В | 30 / -30 |
| Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А | 4 / -3 |
| Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм | 50 / 100 |
| Заряд затвора, нКл | 25 |
| Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Напряжение затвор-исток (Vgs), В | ± 20 |
| Вес брутто | 0.23 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Описание | 30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET |