X
| Тип | IGBT модуль |
| Описание | NPT |
| Максимальное напряжение КЭ (Vces), В | 1200 |
| Максимальный ток коллектора (Ic), А | 75 |
| Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В | 2 |
| Пороговое напряжение затвор-эмиттер Vge(th), В | 5,8 |
| Потери на переключение при 25°С (Ets), мДж | 18,8 |
| Диапазон рабочих температур | -40…+125 °С |
| Корпус | EconoPIM |