X
Быстрый фильтр
Сбросить фильтр

Новинки продукции: Транзисторы

Все В наличии Ожидается В производстве Под заказ

Сортировать:

Базовая цена Оптовая цена По наличию
Подгруппа товаров
  • IGBT транзисторы
  • Транзисторы биполярные
  • Транзисторы полевые
20 60 100

Фото

Наименование

Цена

Нет в наличии
Быстрый просмотр
BDX53C JSMSEMI транзистор биполярный составной (Дарлингтона), NPN, 100 В, 8 А, hFE min 1000, TO-220
Быстрый просмотр
BDX53C JSMSEMI транзистор биполярный составной (Дарлингтона), NPN, 100 В, 8 А, hFE min 1000, TO-220
BDX53C JSMSEMI транзистор биполярный составной (Дарлингтона), NPN, 100 В, 8 А, hFE min 1000, TO-220
Код товара: 133151
Код товара:
Быстрый просмотр
×
BDX53C JSMSEMI транзистор биполярный составной (Дарлингтона), NPN, 100 В, 8 А, hFE min 1000, TO-220
Код товара: 133151
BDX53C транзистор биполярный составной (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости - NPN. Максимальный ток коллектора (Ic) 8 А, Максимальное напряжение КЭ (Vceo) 100 В. Напряжение насыщения КЭ (Vce(sat)) 2 В. Минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Комплиментарная пара BDX54C.
ПАРТНЕР: по запросу
Подробнее

ПАРТНЕР - эксклюзивная выгодная оптовая отпуская цена для постоянных клиентов, которая позволяет реализовывать наш ассортимент в том регионе, где осуществляется торговая деятельность, а также гарантируется поддержка, связанная с вопросом реализации продукции.

ПАРТНЕР: по запросу
Нет в наличии
Быстрый просмотр
IRF1404PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 202А, 333Вт, корпус TO-220AB
Быстрый просмотр
IRF1404PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 202А, 333Вт, корпус TO-220AB
IRF1404PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 202А, 333Вт, корпус TO-220AB
Код товара: 133758
Код товара:
Быстрый просмотр
×
IRF1404PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 202А, 333Вт, корпус TO-220AB
Код товара: 133758
ПАРТНЕР: по запросу
Подробнее

ПАРТНЕР - эксклюзивная выгодная оптовая отпуская цена для постоянных клиентов, которая позволяет реализовывать наш ассортимент в том регионе, где осуществляется торговая деятельность, а также гарантируется поддержка, связанная с вопросом реализации продукции.

ПАРТНЕР: по запросу
Нет в наличии
Быстрый просмотр
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
Быстрый просмотр
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
Код товара: 133152
Код товара:
Быстрый просмотр
×
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
Код товара: 133152
IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.
ПАРТНЕР: по запросу
Подробнее

ПАРТНЕР - эксклюзивная выгодная оптовая отпуская цена для постоянных клиентов, которая позволяет реализовывать наш ассортимент в том регионе, где осуществляется торговая деятельность, а также гарантируется поддержка, связанная с вопросом реализации продукции.

ПАРТНЕР: по запросу
BDX53C JSMSEMI транзистор биполярный составной (Дарлингтона), NPN, 100 В, 8 А, hFE min 1000, TO-220
BDX53C JSMSEMI транзистор биполярный составной (Дарлингтона), NPN, 100 В, 8 А, hFE min 1000, TO-220
Код товара: 133151
Бренд:
Быстрый просмотр
×
BDX53C JSMSEMI транзистор биполярный составной (Дарлингтона), NPN, 100 В, 8 А, hFE min 1000, TO-220
Код товара: 133151
BDX53C транзистор биполярный составной (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости - NPN. Максимальный ток коллектора (Ic) 8 А, Максимальное напряжение КЭ (Vceo) 100 В. Напряжение насыщения КЭ (Vce(sat)) 2 В. Минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Комплиментарная пара BDX54C.
ПАРТНЕР: по запросу
Подробнее
Цену и срок поставки уточняйте у менеджера отдела продаж.

ПАРТНЕР - эксклюзивная выгодная оптовая отпуская цена для постоянных клиентов, которая позволяет реализовывать наш ассортимент в том регионе, где осуществляется торговая деятельность, а также гарантируется поддержка, связанная с вопросом реализации продукции.

ПАРТНЕР: по запросу
 
IRF1404PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 202А, 333Вт, корпус TO-220AB
IRF1404PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 202А, 333Вт, корпус TO-220AB
Код товара: 133758
Бренд:
Быстрый просмотр
×
IRF1404PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 202А, 333Вт, корпус TO-220AB
Код товара: 133758
ПАРТНЕР: по запросу
Подробнее
Цену и срок поставки уточняйте у менеджера отдела продаж.

ПАРТНЕР - эксклюзивная выгодная оптовая отпуская цена для постоянных клиентов, которая позволяет реализовывать наш ассортимент в том регионе, где осуществляется торговая деятельность, а также гарантируется поддержка, связанная с вопросом реализации продукции.

ПАРТНЕР: по запросу
 
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
Код товара: 133152
Бренд:
Быстрый просмотр
×
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
Код товара: 133152
IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.
ПАРТНЕР: по запросу
Подробнее
Цену и срок поставки уточняйте у менеджера отдела продаж.

ПАРТНЕР - эксклюзивная выгодная оптовая отпуская цена для постоянных клиентов, которая позволяет реализовывать наш ассортимент в том регионе, где осуществляется торговая деятельность, а также гарантируется поддержка, связанная с вопросом реализации продукции.

ПАРТНЕР: по запросу